南京师范大学学报（工程技术版）
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dynamic- threshold DTMOS device
的文章
1
基于0.15微米SOI嵌入式DRAM技术的动态钳制电位DTMOS器件源极与漏极的优化设计(英文)
Burke F
1
, Rambhatla A
1
, Zahurak J
2
, Parke S A
1
2003年04期 [63－65][
摘要
](
2185
)
[
pdf
145KB]
(
2803
)
2
SOI嵌入式DRAM技术动态钳制电位DTMOS器件性能的优化设计(英文)
Kim C S
1
, Burke F
1
, Rambhatla A
1
, 赵阳
1, 3
, Zahurak J
3
, Parke S A
1
2003年04期 [59－62][
摘要
](
2072
)
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pdf
163KB]
(
2742
)